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首页产品中心HME - P0
HME - P0 系列产品

HME-P0系列采用低功耗22nm技术。

HME-P0系列FPGA除了提供高性能、低功耗的FPGA内核外,还集成了大量外围设备、以及独特的大容量片上SRAM。作为新一代高性能FPGA器件,HME-P0系列支持多种高带宽传感器接入和显示控制接口处理,特别适合嵌入式显示控制、图像与视觉处理等方面的应用场景,如 LCD/LED显示控制、TCON等。

通过使用HME-P0系列片内并行计算与存储架构的创新、以及运用丰富的可配置软核IP和硬核IP,设计者可以专注自身应用设计,从而提升生产效率。

产品特性
产品图表
应用案例
技术文档

特性

  • 基于SRAM的FPGA架构

- 多达12K的6输入查找表

- 多达23,040的DFF寄存器

- 性能高达220MHz

  • 嵌入式存储模块

- 128个9Kb可编程双端口DPRAM

  • 嵌入式DSP模块(MAC)

- 32个DSP 56V2模块或128个10x10 DSP模块

  • 时钟网络

- 32个de-skew全局时钟

- 1个OSC,频率精度±5%

- 2个PLL

- 系统内动态时钟管理

  • I/O

- 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常规I/O

- 可编程源同步I/O

- MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS

- LVDS I/O速率高达1200Mb/s

存储

- 嵌入式SRAM存储

- 18个32Kx32位SRAM,总计2.2MB

封装

LQFP176

FBGA256

VBGA324

型号  P0P20-M0H1  P0P20-M1H1  P0P20-M2H1  P0P20-M0X1  P0P20-M0A1

可编程逻辑块(PLB)

逻辑单元(K)   20  20  20 20  20
查找表LUT6  11,520 11,520 11,520 11,520 11,520
寄存器(Register) 23,040 23,040 23,040 23,040 23,040

嵌入式存储模块(EMB)

 9Kb 128 128 128 128 128
 Max(Kb) 1,152 1,152 1,152 1,152 1,152
DSP 18b*18b  32 32 32 32 32
PLL 2 2 2 2 2
OSC RC 1 1  1 1 1
SRAM 128KB 18 18 18 18 18
Total(KB)  2,256 2,256 2,256 2,256 2,256
pSRAM 32Mb  0 2 2 0 0
Total(Mb) 0 64 64 0 0
eFuse 128b 1 1 1 1 1
封装(单位:mm) 最大用户I/O(LVDS)
LQFP176 (22.00x22.00, 0.4 pitch)  151(0) 151(0) 151(0) - -
FBGA256 (17.00x17.00, 1.0 pitch) - - - 186(0) 179(0)
VFBGA324 (15.00x15.00, 0.8 pitch)  - - - 210(24) -

 

应用案例
技术文档
产品检索
标题 版本 发布日期 文件格式
HME-P0 Family FPGA_Data Sheet V_1.9 2024-02-01 PDF
HME-P0系列FPGA数据手册 V_1.9 2024-02-01 PDF
HME-P0_Family FPGA_Flyer V_1.2 2023-02-01 PDF
HME-P0系列FPGA简页 V_1.2 2024-02-01 PDF
HME-P0_pinlist v_1.5 2023-06-11 Excel
HME-P0 Family_PS_Programming_Application Notes_EN V_1.0 2023-06-09 PDF
HME-P0系列应用指南_APB&AHB总线仿真 V_1.0 2023-08-17 PDF
HME-P0系列应用指南_DSP_CN V_1.1 2023-09-07 PDF
HME-P0系列应用指南_EMB V_1.0 2023-08-14 PDF
HME-P0系列应用指南_ISP V_1.0 2023-06-03 PDF
HME-P0系列应用指南_SRAM V_1.0 2023-08-21 PDF
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