HME-P3系列FPGA集成了高性能Cortex-M3 MCU、外围设备与片上SRAM等功能模块。作为高性能器件，HME-P3系列可广泛应用于高性能实时运动控制和图像处理等多种领域，支持高带宽MIPI和LVDS接口，特别适合嵌入式视觉应用及工业控制等方面，如工业相机、伺服驱动等。
通过使用HME-P3系列可配置的软核IP、硬核IP和MCU及外设，设计者可以更加专注自身应用设计，高效快速使产品面市。
HME-P3系列FPGA特性
基于SRAM的FPGA架构
- 多达70K的6输入查找表，等价于110K逻辑单元
- 多达139,200的DFF寄存器
嵌入式存储模块
- 720个9Kb 可编程双端口DPRAM，共6,480Kb
嵌入式DSP模块
- 360个18*18 DSP（MAC）模块
- 或 1440个10*10 DSP（MAC）模块
时钟网络
- 32个de-skew全局时钟
- 1个OSC，频率精度±5%
- 13个PLL
- 系统内动态时钟管理
I/O
- 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常规I/O
- 可编程源同步I/O
- MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS
- LVDS I/O速率高达1,200Mb/s
MCU
ARM Cortex-M3 MCU
- 32位高性能处理器，频率高达200MHz
- 出色的快速中断处理性能
- 强化断点和跟踪调试系统
- 高效处理器核心、系统和存储
- 集成睡眠模式
外设
- 2个计时器
- 1个看门狗计时器
- 3个UART接口
- 3个I2C接口
- 3个SPI接口
- 2个32位GPIO
- 1个DMA
存储
嵌入式SRAM存储
- 2个4K*32位SRAM，总计32KB
DDR3/4 LPDDR3/4接口
- 最高可达2,133Mbps
- 32b数据位宽
- 4个128b AXI端口
- 32/16位内联式ECC或16位
配置
配置模式
- JTAG模式
- AS模式
- PS模式
- MCU模式
在系统内配置
eFuse
128-bit eFuse
封装
FBGA676
VFBGA324
| 器件型号 | P3A100 | |
| 可编程逻辑块(PLB) | Logic cells (K) | 110 |
| LUT6 | 69,600 | |
| Register | 139,200 | |
| 嵌入式存储模块(EMB) | 9Kb | 720 |
| Max (Kb) (1) | 6,480 | |
| 分布式存储模块(LRAM) | 64b | 8,640 |
| Max (kb) (1) | 540 | |
| DSP | 18b*18b (2) | 360 |
| PLL | 13 | |
| OSC | RC | 1 |
| MCU | Cortex-M3 | 1 |
| UART | 3 | |
| I2C | 3 | |
| SPI | 3 | |
| GPIO | 2 | |
| Timer | 2 | |
| WDG | 1 | |
| DMA | 1 | |
| SRAM | I Cache | 16KB |
| D Cache | 16KB | |
| 4K*32b | 2 | |
| Total (KB) | 64 | |
| DDR | Hard DDR3/4,LPDDR3 | 2x16b |
| eFuse | 256b | 1 |
| 封装(单位: mm) | 最大用户I/O（LVDS对） | |
| FBGA676 (27.00×27.00×2.20, 1.0 pitch) | 12对HP | |
| VFBGA324 (15.00×15.00×1.30, 0.8 pitch) | TBD | |
注意：
4、无硬FIFO
5、2个18*18可以实现35*35，1个18*18可以实现4个10*10
| 标题 | 版本 | 发布日期 | 文件格式 |
| HME-P3系列FPGA简页 | 2024-07-01 |
HME - P3（1）
