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首页产品中心HME - P3A100
HME - P3A100 系列产品

HME-P3系列FPGA集成了高性能Cortex-M3 MCU、外围设备与片上SRAM等功能模块。作为高性能器件,HME-P3系列可广泛应用于高性能实时运动控制和图像处理等多种领域,支持高带宽MIPI和LVDS接口,特别适合嵌入式视觉应用及工业控制等方面,如工业相机、伺服驱动等。

通过使用HME-P3系列可配置的软核IP、硬核IP和MCU及外设,设计者可以更加专注自身应用设计,高效快速使产品面市。

产品特性
产品图表
应用案例
技术文档

HME-P3系列FPGA特性

  • 基于SRAM的FPGA架构

    - 多达70K的6输入查找表,等价于110K逻辑单元
    - 多达139,200的DFF寄存器

  • 嵌入式存储模块

    - 720个9Kb 可编程双端口DPRAM,共6,480Kb

  • 嵌入式DSP模块

    - 360个18*18 DSP(MAC)模块

    - 或 1440个10*10 DSP(MAC)模块

  • 时钟网络

    - 32个de-skew全局时钟

    - 1个OSC,频率精度±5%

    - 13个PLL

    - 系统内动态时钟管理

  • I/O

    - 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常规I/O

    - 可编程源同步I/O

    - MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS

    - LVDS I/O速率高达1,200Mb/s


MCU

  • ARM Cortex-M3 MCU
    - 32位高性能处理器,频率高达200MHz
    - 出色的快速中断处理性能
    - 强化断点和跟踪调试系统
    - 高效处理器核心、系统和存储
    - 集成睡眠模式

  • 外设
    - 2个计时器
    - 1个看门狗计时器

    - 3个UART接口
    - 3个I2C接口
    - 3个SPI接口
    - 2个32位GPIO
    - 1个DMA


存储

  • 嵌入式SRAM存储
    - 2个4K*32位SRAM,总计32KB

  • DDR3/4 LPDDR3/4接口

    -   最高可达2,133Mbps
    -   32b数据位宽
    -   4个128b AXI端口
    -   32/16位内联式ECC或16位



配置

  • 配置模式

    - JTAG模式

    - AS模式

    - PS模式

    - MCU模式

  • 在系统内配置


eFuse

  • 128-bit eFuse


封装

  • FBGA676

  • VFBGA324



器件型号 P3A100
可编程逻辑块(PLB) Logic cells (K) 110
LUT6 69,600
Register 139,200
嵌入式存储模块(EMB) 9Kb 720
Max (Kb) (1) 6,480
分布式存储模块(LRAM) 64b 8,640
Max (kb) (1) 540
DSP 18b*18b (2) 360
PLL 13
OSC RC 1
MCU Cortex-M3 1
UART 3
I2C 3
SPI 3
GPIO 2
Timer 2
WDG 1
DMA 1
SRAM I Cache 16KB
D Cache 16KB
4K*32b 2
Total (KB) 64
DDR Hard DDR3/4,LPDDR3 2x16b
eFuse 256b 1
封装(单位: mm) 最大用户I/O(LVDS对)
FBGA676 (27.00×27.00×2.20, 1.0 pitch) 12对HP
VFBGA324 (15.00×15.00×1.30, 0.8 pitch) TBD

注意:
4、无硬FIFO
5、2个18*18可以实现35*35,1个18*18可以实现4个10*10 

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标题 版本 发布日期 文件格式
HME-P3系列FPGA简页 PDF 2024-07-01
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