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首页产品中心HME - H7P20
HME - H7P20 系列产品

HME-H7系列采用低功耗22nm 技术,集成了高性能ARM Cortex-M3 MCU、外围设备与大容量片上SRAM。

通过使用HME-H7系列可配置的软核IP、硬核IP和MCU,设计者可以专注自身应用设计,从而提升生产效率。

作为高性能器件,HME-H7系列可广泛应用于高性能MCU控制和处理等的多种领域,支持多种高带宽传感器和显示接口,特别适合嵌入式视觉应用方面,如LED显示、TCON与工业控制。

产品特性
产品图表
应用案例
技术文档

特性

  • 基于SRAM的FPGA架构

- 多达12K的6输入查找表

- 多达23,040的DFF寄存器

- 性能高达220MHz

  • 嵌入式存储模块

- 128个9Kb可编程双端口DPRAM

  • 嵌入式DSP模块(MAC)

- 32个DSP 56V2模块或128个10x10 DSP模块

  • 时钟网络

- 32个de-skew全局时钟

- 1个OSC,频率精度±5%

- 2个PLL

- 系统内动态时钟管理

  • I/O

- 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常规I/O

- 可编程源同步I/O

- MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS

- LVDS I/O速率高达1200Mb/s

MCU

  • ARM Cortex-M3 MCU

- 32位高性能处理器,频率高达300MHz

- 出色的快速中断处理性能

- 强化断点和跟踪调试系统

- 高效处理器核心、系统和存储

- 集成睡眠模式

存储

  • 嵌入式SRAM存储

  • 18个32Kx32位SRAM,总计2.2MB


型号  H7P20-M0H1  H7P20-M1H1  H7P20-M2H1  H7P20-M0X1  H7P20-M0A1

可编程逻辑块(PLB)

Logic cells(K)  20  20  20 20  20
LUT6 11,520 11,520 11,520 11,520 11,520
Register 23,040 23,040 23,040 23,040 23,040

嵌入式存储模块(EMB)

 9Kb 128 128 128 128 128
Max(Kb) 1,152 1,152 1,152 1,152 1,152
DSP 18b*18b  32  32  32 32 32
PLL 2 2 2 2 2
OSC RC 1 1 1 1 1
MCU Cortex-M3 1 1 1 1 1
UART 3 3 3 3 3
I2C 3 3 3 3 3
SPI 3 3 3 3 3
GPIO 2 2 2 2 2
Timer 2 2 2 2 2
WDG 1 1 1 1 1
DMA 1 1 1 1 1
SRAM 128KB  18 18 18 18 18
Total(KB)  2,256 2,256 2,256 2,256 2,256
 pSRAM 32Mb 0 1 2 0 0
Total(Mb) 0 32 64 0 0
 eFuse  128b 1 1 1 1 1
封装(单位:mm) 最大用户I/O LVDS通道)
LQFP176 (22.00x22.00, 0.4 pitch)  151 (0) 151 (0) 151 (0) - -
FBGA256 (17.00x17.00, 1.0 pitch) - - - 186 (0) 179 (0)
VFBGA324 (15.00x15.00, 0.8 pitch)  - - - 210 (24) -

 

应用案例
技术文档
产品检索
标题 版本 发布日期 文件格式
HME-H7 Family FPGA_Data Sheet V_1.8 2024-02-01 PDF
HME-H7系列FPGA数据手册 V_1.9 2024-02-01 PDF
HME-H7_Family_FPGA_User_Guide V_1.4 2023-11-27 PDF
HME-H7 Family FPGA Flyer V_1.1 2024-01-22 PDF
HME-H7系列FPGA简页 V_1.1 2024-01-22 PDF
HME-H7_pinlist v_1.7 2024-02-06 Excel
HME-H7系列应用指南-pSRAM V_1.0 2023-08-15 PDF
HME-H7系列应用指南_RGMII V_1.0 2023-08-18 PDF
HME-H7系列应用指南_SRAM V_1.0 2023-08-15 PDF
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