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首页产品中心HME - P1
HME - P1 系列产品

HME-P1系列(P1P060)采用成熟的40nm CMOS工艺,提供全新更高效的双寄存器加LUT6架构和丰富的内置系统级模块选择,其中包括18Kb(2 x 9Kb)RAM模块、第二代DSP56V1 Slice、DDR存储控制器和PHY、增强型PLL和时钟管理模块、功率优化的高速串行收发器模块、PCI Express®兼容端点模块、高级系统级电源管理模式、1MSPS XADC、自动检测配置选项以及具有AES保护的增强型IP安全。

产品特性
产品图表
应用案例
技术文档

特性

  • 40nm CMOS 工艺

  • 采用全新的LUT6构架

  • 等价于60K 4输入LUT逻辑单元

  • 高达6.5G bps Serdes高速I/O

  • 1333M bps硬核DDR2/3控制和PHY

  • 硬核PCIe Gen1/Gen2

  • 针对需要高速率高性能大容量的FPGA市场


 

型号

P1P060

可编程逻辑块PLB

逻辑单元Logic cells

58,982

查找表LUT6

36,864

DFF寄存器

Register (DFF-based)

73,728

嵌入式内存模块EMB

LRAM

576Kb

18Kb EMB

144

9Kb EMB

288

总EMB

2,592Kb

时钟&锁相环

PLL

4

全局时钟

32

DSP

DSP Slice (DSP56V1)

144

18x18 乘法器

288

IP

PCI Express Gen1/2

1

DDR2/3 (PHY & controller) (1)

1

Transceiver

Configurable 300M~6.5G 4

XADC(1MSPS) (2)

2

封装(单位:mm)

最大用户I/O (LVDS对)收发器 / DDR

FBGA784 (29x29x3.32, pitch 1.0)

477 (144) / 4 / 32b

VFBGA324 (15x15x1.93, pitch 0.8)

209 (64) / 0 / 16b

FCCSP324 (15x15x1.21, pitch 0.8)

209 (64) / 0 / 16b

注:

 

1. 如果使用 DDR IP,所有 DDR 引脚都不能用作 IO.
2. ADC 可用于监测内部芯片温度和电压。

 

 

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