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HME-H7 系列采用低功耗 22nm 技术，集成了高性能 ARM Cortex-M3 MCU、外围设备与大容量片上SRAM。 通过使用 HME-H7 系列可配置的软核 IP、硬核 IP 和 MCU，设计者可以专注自身应用设计，从而提升生产效率。 作为高性能器件，HME-H7 系列可广泛应用于高性能 MCU 控制和处理等的多种领域，支持多种高带宽传感器和显示接口，特别适合嵌入式视觉应用方面，如 LED 显示、TCON 与工业控制。
特性 基于 SRAM 的 FPGA 架构 多达 12K 的 6 输入查找表 多达 23,040 的 DFF 寄存器 性能高达 220MHz 嵌入式存储模块 128个 9Kb 可编程双端口 DPRAM 嵌入式 DSP 模块（MAC） 32个 DSP 56V2 模块或128个10x10 DSP 模块 时钟网络 32个 de-skew 全局时钟 1个 OSC，频率精度±5% 2个 PLL 系统内动态时钟管理 I/O 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS 常规 I/O 可编程源同步 I/O MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS LVDS I/O 速率高达 1200Mb/s MCU ARM Cortex-M3 MCU 32位高性能处理器，频率高达300MHz 出色的快速中断处理性能 强化断点和跟踪调试系统 高效处理器核心、系统和存储 集成睡眠模式 存储 嵌入式 SRAM 存储 18个32Kx32位 SRAM，总计2.2MB
| 型号 | H7P20-M0H1 | H7P20-M1H1 | H7P20-M2H1 | H7P20-S1H1 | H7P20-M0X1 | H7P20-M0A1 | |
|
可编程逻辑块（PLB） |
Logic cells(K) | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| LUT6 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | |
| Register | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | |
|
嵌入式存储模块（EMB） |
9Kb | 128 | 128 | 128 | 128 | 128 | 128 |
| Max(Kb) | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | |
| DSP | 18b*18b | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| PLL | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
| OSC | RC | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| MCU | Cortex-M3 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| UART | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
| I2C | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
| SPI | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
| GPIO | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
| Timer | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
| WDG | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
| DMA | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
| SRAM | 128KB | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| Total (KB) | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | |
| pSRAM | 32Mb | 0 | 1 | 2 | 0 | 0 | 0 |
| Total(Mb) | 0 | 32 | 64 | 0 | 0 | 0 | |
| SDRM | 64Mb | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
| Total(Mb) | 0 | 0 | 0 | 64 | 0 | 0 | |
| eFuse | 128b | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 封装（单位：mm） | 最大用户I/O （LVDS通道） | ||||||
| LQFP176 (22.00x22.00, 0.4 pitch) | 142 (0) | 142 (0) | 142 (0) | - | - | - | |
| FBGA256 (17.00x17.00, 1.0 pitch) | - | - | - | 186 (0) | 179 (0) | ||
| VFBGA324 (15.00x15.00, 0.8 pitch) | - | - | - | 210 (24) | - | ||
| TFBGA213 (12.00x12.00, 0.8 pitch) | - | - | - | 173 (18) | - | - | |
| 标题 | 版本 | 发布日期 | 文件格式 |
| H7P0P20N0L176-M2H1_Eth_EVB 开发板原理图 | 2023-12-18 |
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HME - H7P20（21）